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硅碳負(fù)極材料用燒結(jié)爐與CVD 爐的區(qū)別

硅碳負(fù)極電池優(yōu)缺點(diǎn)?

隨著電池電極材料的發(fā)展,鋰離子電池技術(shù)發(fā)展迅速。目前,鋰鈷電池已經(jīng)擴(kuò)展到三元體系、錳酸鋰、磷酸亞鐵鋰、硅碳陽(yáng)極等電池體系。新型硅碳負(fù)極鋰離子電池突破了石墨作為負(fù)極的固有局限,性能明顯優(yōu)于傳統(tǒng)鋰離子電池。它已經(jīng)成為最有前途的儲(chǔ)能電池之一。
可見(jiàn),陽(yáng)極材料燒結(jié)爐是陽(yáng)極材料燒結(jié)設(shè)備的重要組成部分。江蘇谷峰節(jié)能科技有限公司研發(fā)的負(fù)極材料燒結(jié)爐主要用于工業(yè)原料,尤其是鋰電池負(fù)極材料的燒結(jié)實(shí)驗(yàn)。該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊,加熱速度快,密封性能好,爐溫均勻,燒結(jié)效果好,設(shè)計(jì)新穎,操作簡(jiǎn)便。負(fù)極燒結(jié)爐系列產(chǎn)品的核心優(yōu)勢(shì)是內(nèi)膽設(shè)計(jì)可更換,可滿(mǎn)足不同材質(zhì)的測(cè)試要求。負(fù)極材料燒結(jié)爐適用于實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)機(jī)構(gòu)、大專(zhuān)院校、科研院所、工礦企業(yè)的測(cè)試或小批量生產(chǎn),尤其適用于硅碳負(fù)極材料。燒結(jié)試驗(yàn)是該產(chǎn)品的最佳選擇。
硅碳負(fù)極材料鋰電池是鋰電池中的“奇葩”——安全穩(wěn)定。由于硅碳負(fù)極材料具有較高的嵌鋰電位,在燒結(jié)過(guò)程中避免了鋰金屬的形成和析出,又由于平衡電位高于大多數(shù)電解質(zhì)溶劑的還原電位,不會(huì)與電解質(zhì)在固液界面形成鈍化膜,避免了許多副反應(yīng),大大提高了安全性、安全性和穩(wěn)定性,這些都是鋰材料燒結(jié)過(guò)程中最重要的指標(biāo)。江蘇谷峰節(jié)能科技有限公司高級(jí)工程師這樣說(shuō)道。
長(zhǎng)循環(huán)壽命與鋰離子電池常用的石墨材料相比,硅碳負(fù)極材料在充放電過(guò)程中的嵌鋰和脫鋰過(guò)程中幾乎不收縮也不膨脹。這種材料被稱(chēng)為“零應(yīng)變”材料,避免了鋰離子去除或嵌入時(shí)電池體積應(yīng)變對(duì)電極結(jié)構(gòu)的破壞。循環(huán)性能良好。根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),磷酸鐵鋰電池的平均循環(huán)壽命為5500-7000次,而硅碳負(fù)極電池的平均循環(huán)壽命在30000次以上。
良好的耐溫性一般來(lái)說(shuō),電動(dòng)車(chē)在-5℃都有充放電問(wèn)題。硅碳負(fù)極電池具有良好的耐溫性和耐久性。能在-50攝氏度到80攝氏度正常充放電。無(wú)論在嚴(yán)寒的北方還是炎熱的南方,車(chē)輛都不會(huì)受到電池的“沖擊”,用戶(hù)的后顧之憂(yōu)也就消除了。正是因?yàn)檫@些優(yōu)點(diǎn),硅碳負(fù)極電池成為鋰離子電池技術(shù)發(fā)展中一朵耀眼的“奇葩”。
降低成本的技術(shù)改造為了滿(mǎn)足電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力電池的需求,開(kāi)發(fā)了原廠硅碳負(fù)極鋰電池。雖然先進(jìn)的硅碳負(fù)極電池企業(yè)已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)入電能存儲(chǔ)領(lǐng)域,但是還沒(méi)有專(zhuān)門(mén)針對(duì)大規(guī)模儲(chǔ)能應(yīng)用設(shè)計(jì)的鈦酸鋰電池。
“硅碳負(fù)極電池大規(guī)模應(yīng)用面臨的主要問(wèn)題是成本。項(xiàng)目初期,其價(jià)格是磷酸鐵鋰電池的4-6倍。楊凱說(shuō),硅碳負(fù)極電池的價(jià)格仍然很高。雖然性能明顯優(yōu)于現(xiàn)有的鋰離子電池,但經(jīng)濟(jì)因素很大。推動(dòng)了鈦酸鋰電池在市場(chǎng)上的普及。
因此,要實(shí)現(xiàn)大規(guī)模儲(chǔ)能應(yīng)用,必須對(duì)現(xiàn)有的電動(dòng)汽車(chē)用鈦酸鋰電池進(jìn)行改造,包括材料體系、電池設(shè)計(jì)、生產(chǎn)工藝等方面的技術(shù)改造,以保證硅碳負(fù)極電池長(zhǎng)壽命的固有特性,并大幅降低成本。

各位高手們,請(qǐng)問(wèn)PVD與CVD的區(qū)別

PVD: 用物理方法(如蒸發(fā)、濺射等),使鍍膜材料汽化在基體表面,沉積成覆蓋層的方法。 CVD: 用化學(xué)方法使氣體在基體材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并形成覆蓋層的方法。 區(qū)別: 化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,簡(jiǎn)稱(chēng)CVD)是反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面,進(jìn)而制得固體材料的工藝技術(shù)。它本質(zhì)上屬于原子范疇的氣態(tài)傳質(zhì)過(guò)程。 與之相對(duì)的是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,簡(jiǎn)稱(chēng)CVD),指利用物理過(guò)程實(shí)現(xiàn)物質(zhì)轉(zhuǎn)移,將原子或分子由源轉(zhuǎn)移到基材表面上的過(guò)程。它的作用是可以使某些有特殊性能(強(qiáng)度高、耐磨性、散

刀片的涂層有CVD和PVD兩種,兩者的區(qū)別是什么?

刀片的涂層有CVD和PVD兩者的區(qū)別從方式,薄厚溫度和運(yùn)用三方面來(lái)看。

一,從方式看區(qū)別

CVD是化學(xué)氣相沉積的方式。

PVD是物理氣相沉積法的方式。

二,薄厚溫度

CVD處理的溫度為900℃~1100℃,涂層厚度可達(dá)5~10μm。

PVD處理的溫度為500℃,涂層厚度為2~5μm,比CVD薄。

三,從運(yùn)用看區(qū)別

CVD法適合硬質(zhì)合金。

PVD法適用于高速鋼刀具。

擴(kuò)展資料:

刀具涂層制備技術(shù)可分為化學(xué)氣相沉積(CVD)和物理氣相沉積(PVD)兩大類(lèi)。CVD技術(shù)可實(shí)現(xiàn)單成分單層及多成分多層復(fù)合涂層的沉積,涂層與基體結(jié)合強(qiáng)度較高,薄膜厚度較厚,可達(dá)7~9μm,具有很好的耐磨性。

但CVD工藝溫度高,易造成刀具材料抗彎強(qiáng)度下降;涂層內(nèi)部呈拉應(yīng)力狀態(tài),易導(dǎo)致刀具使用時(shí)產(chǎn)生微裂紋。CVD技術(shù)主要用于硬質(zhì)合金可轉(zhuǎn)位刀片的表面涂層。

與CVD工藝相比,PVD工藝溫度低(最低可低至80℃),在600℃以下時(shí)對(duì)刀具材料的抗彎強(qiáng)度基本無(wú)影響;薄膜內(nèi)部應(yīng)力狀態(tài)為壓應(yīng)力,更適于對(duì)硬質(zhì)合金精密復(fù)雜刀具的涂層;PVD工藝對(duì)環(huán)境無(wú)不利影響。

PVD技術(shù)主要應(yīng)用于整體硬質(zhì)合金刀具和高速鋼刀具的表面處理,且已普遍應(yīng)用于硬質(zhì)合金鉆頭、銑刀、鉸刀、絲錐、異形刀具、焊接刀具等的涂層處理。

用CVD法涂層時(shí),切削刃需預(yù)先進(jìn)行鈍化處理(鈍圓半徑一般為0.02~0.08mm,切削刃強(qiáng)度隨鈍圓半徑增大而提高),故刃口沒(méi)有未涂層刀片鋒利。所以,對(duì)精加工產(chǎn)生薄切屑、要求切削刃鋒利的刀具應(yīng)采用PVD法。

涂層除可涂覆在普通切削刀片上外,還可涂覆到整體刀具上,已發(fā)展到涂覆在焊的硬質(zhì)合金刀具上。據(jù)報(bào)道,國(guó)外某公司在焊接式的硬質(zhì)合金鉆頭上采用了PCVD法,結(jié)果使加工鋼料時(shí)的鉆頭壽命比高速鋼鉆頭長(zhǎng)10倍,效率提高5倍。

參考資料:百度百科——涂層刀具技術(shù)

百度百科——涂層刀具

pvd與cvd的相似點(diǎn)與不同點(diǎn)

CVD的優(yōu)缺點(diǎn): 優(yōu)點(diǎn):CVD制備所得到的薄膜或材料一般純度很高,很致密,而且容易形成結(jié)晶定向好的材料;能在較低溫度下制備難容物質(zhì);便于制備各種但是或化合物材料以及各種復(fù)合材料。 缺點(diǎn):需要在高溫下反應(yīng),基片溫度高,沉積速率較低,使用設(shè)備復(fù)雜,集體難于進(jìn)行局部沉積,參加反應(yīng)的源和反應(yīng)后的余氣都有一定的毒性 (PVD需在較低的壓力下進(jìn)行,沉積率幾乎100%.CVD在相對(duì)較高的壓力下進(jìn)行.PVD具有方向性和陰影效應(yīng),CVD薄膜可以被均勻地涂覆在復(fù)雜零件的表面上,而較少受到陰影效應(yīng)的限制.CV可以有效地控制薄膜的化學(xué)成分,高的生產(chǎn)效率和低的設(shè)備及運(yùn)行成.與其他相關(guān)工藝具有較好的相容性.)

太陽(yáng)能芯片(Si)單晶工藝和多晶工藝的差別在哪里?以及什么原因?qū)е碌牟顒e?

單晶硅和多晶硅的區(qū)別是,當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒,則形成單晶硅。如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒,則形成多晶硅。多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如在力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面,多晶硅均不如單晶硅。多晶硅可作為拉制單晶硅的原料。單晶硅可算得上是世界上最純凈的物質(zhì)了,一般的半導(dǎo)體器件要求硅的純度六個(gè)9以上。大規(guī)模集成電路的要求更高,硅的純度必須達(dá)到九個(gè)9。目前,人們已經(jīng)能制造出純度為十二個(gè)9 的單晶硅。單晶硅是電子計(jì)算機(jī)、自動(dòng)控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中不可缺少的基本材料。 多晶硅的生產(chǎn)工藝主要由高純石英(經(jīng)高溫焦碳還原)
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