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鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的理論效率如何計(jì)算

太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)化效率怎么計(jì)算?請(qǐng)?jiān)敿?xì)說明一下,謝謝

先在標(biāo)準(zhǔn)光強(qiáng)下測(cè)試被測(cè)太陽(yáng)能電池板的輸出電壓電流: 1,標(biāo)準(zhǔn)光強(qiáng)是指: AM1.5, 1000W/平方米, 組件溫度:25度, 最好是用太陽(yáng)能光伏專用測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)試. 2.要測(cè)試的參數(shù): Pw, Vop, Iop, Voc, Isc. 3.將該被太陽(yáng)能電池板的功率除以該太陽(yáng)能電池板的面積再除以1000,則得出效率. 假設(shè): 該太陽(yáng)能電池板的功率為5W, 面積為:0.03平方米, 則它的效率為:5/0.03/1000=0.167=16.7%, 也就是它將平方米1000W 太陽(yáng)光能量的16.7%轉(zhuǎn)換成了電能. 更多詳情,請(qǐng)參況如下鏈接:

計(jì)算太陽(yáng)能電池理論效率時(shí)IL怎么計(jì)算出來的呢,一直很疑惑,跪求高人指點(diǎn)

一般是按每平米發(fā)電量1千瓦做基準(zhǔn),太陽(yáng)能電池片的每平米發(fā)電量除以1000瓦得到的百分比就是效率。

太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率是如何計(jì)算的?

用實(shí)驗(yàn)得到的實(shí)際能量除以在理想狀態(tài)下計(jì)算出的理論數(shù)據(jù),所得的數(shù)據(jù)就是轉(zhuǎn)換效率。

太陽(yáng)電池光電轉(zhuǎn)換效率一般是多少

硅太陽(yáng)能電池的理論光電轉(zhuǎn)換效率的上限值為33%左右。

太陽(yáng)能光伏轉(zhuǎn)換效率的計(jì)算方式:

系統(tǒng)效率=電池組件的轉(zhuǎn)換效率X逆變器效率X系統(tǒng)損耗。

面積X轉(zhuǎn)換效率X1000W/M2=功率。

即:

太陽(yáng)電池組件的計(jì)算方法如下:組件STC狀態(tài)下的標(biāo)稱功率/(組件面積*1000)。

以標(biāo)稱功率為180Wp,組件外形尺寸為1580×808×50mm(長(zhǎng)×寬×厚度),72塊125×125mm的電池片串聯(lián)封裝成的組件為例,組件效率為:180/(1.58×0.808×1000)=0.1410=14.10%。

擴(kuò)展資料:

太陽(yáng)能電池板單晶與多晶的利弊分別:

單晶硅太陽(yáng)能電池板優(yōu)點(diǎn):光電轉(zhuǎn)換效率高、穩(wěn)定性好;單晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率為15%左右,最高的達(dá)到24%,這是目前所有種類的太陽(yáng)能電池中光電轉(zhuǎn)換效率最高的。缺點(diǎn):制作成本很大,以致于它還不能被大量廣泛和普遍地使用。

多晶硅太陽(yáng)能電池板優(yōu)點(diǎn):產(chǎn)量較高、成本較低。從制作成本上來講,比單晶硅太陽(yáng)能電池要便宜一些,材料制造簡(jiǎn)便,節(jié)約電耗,總的生產(chǎn)成本較低,因此得到大量發(fā)展。此外,多晶硅太陽(yáng)能電池的使用壽命也要比單晶硅太陽(yáng)能電池短。

缺點(diǎn):多晶硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率則要降低不少,其光電轉(zhuǎn)換效率約12%左右。

參考資料來源:百度百科-太陽(yáng)能電池

太陽(yáng)能芯片效率怎么計(jì)算

太陽(yáng)能電池的芯片材料及轉(zhuǎn)換效率怎么算?1、 晶體硅(單晶硅和多晶硅)太陽(yáng)能電池: 2004年晶體硅太陽(yáng)能電池占總量的84.6 %,生產(chǎn)技術(shù)成熟,是光伏產(chǎn)業(yè)的主導(dǎo)產(chǎn)品。在光伏產(chǎn)業(yè)中占據(jù)著統(tǒng)治地位。 對(duì)于高效單晶硅太陽(yáng)能電池,國(guó)際公認(rèn)澳大利亞新南威爾士大學(xué)達(dá)到了最高轉(zhuǎn)換效率為24.7%,目前世界技術(shù)先進(jìn)產(chǎn)品轉(zhuǎn)換效率為19-20 %。對(duì)于多晶硅太陽(yáng)能電池澳大利亞新南威爾士大學(xué)多晶硅電池效率已突破19.8%,技術(shù)先進(jìn)產(chǎn)品的效率為15-18 %。 2、 非晶體硅太陽(yáng)能電池: α-Si(非晶硅)太陽(yáng)能電池一般采用高頻輝光使硅烷分解沉積而成。由于分解溫度低(250-500 0C),可在薄玻璃、陶瓷、不銹鋼和
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