一三極管為放大狀態(tài)，測得各電極對參考點的電位分別是U1=2.7V.U2=4V.U3=2V

應(yīng)是PNP型三極管。 分析：若是PNP型三極管，三腳中最高電位是集電極C，最低電位是發(fā)射極e，基極b電位居中，且在三極管處于放大狀態(tài)時，be電位差是0.7V（2.7－2＝0.7），應(yīng)屬于硅管。 由所給各電位數(shù)據(jù)判斷，C極對應(yīng)U2，e極對應(yīng)U3，b極對應(yīng)U1。 如果是NPN型三極管，三腳中最高電位是發(fā)射極e，最低電位是集電極C，基極b電位居中。 e極對應(yīng)U2，c極對應(yīng)U3，b極對應(yīng)U1。但be電位差是4－2.7＝1.3V，不符合0.7V要求，不合實際情況。

放大電路中，測得幾個三極管的三個電極電位U1、U2、U3分別為下列各組數(shù)值，判斷它們是NPN型還是

(1)U1=3.4v,U2=2.7v,U3=12v NPN 硅 b,e,c (2)U1=3v,U2=3.3v,U3=11v NPN 鍺 e,b,c (3)U1=-11v,U2=-6v,U3=-6.7v PNP 硅 c,e,b (4)U1=8v,U2+14.8v,U3=15.1v PNP 鍺 c,b,e

放大電路中的三極管的三個電極電位分別是U1=5V ,U2=2V ,U3=1.4V , 求材料和類型和U1.U2.U3各是什么基

解： 1、已知這是放大電路，可認為晶體管處于放大狀態(tài)。 2、晶體管處于放大狀態(tài)時，｜Uc｜＞｜Ub｜＞｜Ue｜，且硅管｜Ube｜=0.6V~0.7V，因U2-U3=2-1.4=0.6V可判斷這是硅管。 3、各極電壓均為正，可判斷這是NPN型管。 4、由第2條可判斷出Uc=U1=5V，Ub=U2=2V，Ue=U3=1.4V。

晶體三極管放大電路中 三個電極的電位分別為 V1=-4V,V2=-1.2V,V3=-1.5V ,試判斷三極管的類型和材料

V2和V3壓差0.3，顯然這兩個就是基極和發(fā)射極(對應(yīng)關(guān)系未知)，而且還是鍺管，V1為集電極，而集電極為最低電壓說明它是電流流向的末端，只有可能是pnp

某晶體三極管三個電極的電位分別是：V1＝2V，V2＝1.7V，V3＝－2.5V，如何判斷該三極管管腳

BE結(jié)應(yīng)該在0-0.7V之間，V1和V2壓差0.3V，所以應(yīng)該是B和E，V3肯定是C，根據(jù)其極性方向可以判斷這是一個PNP管，C的電壓低于B和E。

如果C的電壓高于B和E，則應(yīng)為NPN管。所以有了NPN和PNP管的分別，V1和V2哪個是B哪個是E也就清楚了。

V1 ＝ 2V，V2 ＝ 8V，V3 = 8.3V。無論是NPN還是PNP都有UB電位在三個極之間居中，故2為B。由于V3 - V2 = 8.3-8.0=0.3符合PN結(jié)電壓(鍺管)，故3為E。

擴展資料：

電子三極管 Triode （俗稱電子管的一種）。

雙極型晶體管BJT （Bipolar Junction Transistor）。

J型場效應(yīng)管Junction gate FET（Field Effect Transistor）。

金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全稱。

V型槽場效應(yīng)管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）。

注：這三者看上去都是場效應(yīng)管，其實金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管 、V型槽溝道場效應(yīng)管 是 單極（Unipolar）結(jié)構(gòu)的，是和 雙極（Bipolar）是對應(yīng)的，所以也可以統(tǒng)稱為單極晶體管（Unipolar Junction Transistor）。

參考資料來源：百度百科-晶體三極管