從微觀角度來說，硅為什么可以做半導體材料？

因為晶體硅具有一個非常重要的特性——單方向?qū)щ?，也就是說，電流只能從一端流向另一端，制作半導體器件的原材料就需要具有有這種特有的特性材料。 多角度解釋： （1）熱敏性 半導體材料的電阻率與溫度有密切的關(guān)系.溫度升高,半導體的電阻率會明顯變小.例如純鍺（Ge）,溫度每升高10度,其電阻率就會減少到原來的一半. （2）光電特性 很多半導體材料對光十分敏感,無光照時,不易導電；受到光照時,就變的容易導電了.例如,常用的硫化鎘半導體光敏電阻,在無光照時電阻高達幾十兆歐,受到光照時電阻會減小到幾十千歐.半導體受光照后電阻明顯變小的現(xiàn)象稱為“光導電”.利用光導電特性制作的光電器件還有光電二極管和光電三極管

介紹下半導體的摻雜問題?

雜質(zhì)半導體： 通過擴散工藝，在本征半導體中摻入少量合適的雜質(zhì)元素，可得到雜質(zhì)半導體。 P型半導體的導電特性：摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能也就越強。 結(jié)論： 多子的濃度決定于雜質(zhì)濃度。 少子的濃度決定于溫度。 PN結(jié)的形成：將P型半導體與N型半導體制作在同一塊硅片上，在它們的交界面就形成PN結(jié)。 PN結(jié)的特點：具有單向?qū)щ娦浴? 半導體雜質(zhì) 半導體中的雜質(zhì)對電阻率的影響非常大。半導體中摻入微量雜質(zhì)時，雜質(zhì)原子附近的周期勢場受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài)，在禁帶中產(chǎn)加的雜質(zhì)能級。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷、砷、銻等雜質(zhì)原子時，雜質(zhì)原子作為晶格的一分子，其

半導體晶體的概念，性質(zhì)和特點是什么？

半導體、絕緣體和導體由禁帶寬度劃分，即導帶與價帶之間的相對位置決定。 1 導體的導帶和價帶基本重合，禁帶寬度為0，電子由價帶進入導帶基本無需額外能量，因此內(nèi)部存在大量自由電子，具有低電阻率。 2 半導體導帶和價帶距離適中，即禁帶寬度適中，因此價帶中的電子在常見能量級別的激勵下，例如光、熱和電壓，即可進入導帶，導致半導體電阻率變化。 3 絕緣體與半導體類同，但禁帶寬度很寬，需要大量能量才能導電，例如高于5000V的高壓電，因此電阻率很高。光和熱通常無法導致絕緣體導電，絕緣體一般耐熱性不高，能導致電子躍遷到導帶的溫度下，大部分碳基絕緣體已經(jīng)碳化，其余絕緣體已經(jīng)熔化或氣化。

在硅中摻入一定量的磷、砷元素后，體系的能帶結(jié)構(gòu)發(fā)生什么變化？

硅是一種半導體材料，其原子地最外層含有四個電子，而P，As的最外層為5個電子，加入P，As后，形成N型摻雜的半導體材料，電子通道加大，導電性變強

晶體硅的性質(zhì)

硅guī（臺灣、香港稱矽xī）是一種化學元素，它的化學符號是Si，舊稱矽。原子序數(shù)14，相對原子質(zhì)量28.09，有無定形和晶體兩種同素異形體，同素異形體有無定形硅和結(jié)晶硅。屬于元素周期表上IVA族的類金屬元素。 晶體結(jié)構(gòu)：晶胞為面心立方晶胞。 原子體積:(立方厘米/摩爾) 氧化態(tài)： Main Si+2, Si+4 晶體硅為鋼灰色，無定形硅為黑色，密度2.4g／cm3，熔點1420℃，沸點2355℃，晶體硅屬于原子晶體，硬而有光澤，有半導體性質(zhì)。硅的化學性質(zhì)比較活潑，在高溫下能與氧氣等多種元素化合，不溶于水、硝酸和鹽酸，溶于氫氟酸和堿液，用于造制合金如硅鐵、硅鋼等，單晶硅是一種重要的半導體材料，