一內(nèi)外半徑分別為r1,r2(r1不，這個不是導(dǎo)體。 給出的是電荷體密度，說明電荷是在球殼均勻分布的。 如果是導(dǎo)體的話，電荷只分布于表面，在0有一均勻帶電球殼，內(nèi)外半徑分別是R1,R2,電荷體密度為p,求空間各區(qū)域電場強(qiáng)度的分布

r（1）當(dāng)R1取半徑為 r (R1E4πr2= ρ4π(r3-R13)/3ε0 故 E= ρ(r3-R13)/3ε0r2 (R1（2）R2E4πr2= ρ4π(R23-R13)/3ε0 故 E=ρ(R23-R13)/3ε0r2 (R2

高斯面：

1. 解釋：高斯面是高斯定理中的任一閉合曲面，指真空中的任何靜電場中，穿過任一閉合曲面的電通量，在數(shù)值上等于該閉合曲面內(nèi)包圍的電量的代數(shù)和乘以1/ε。

2. 定義：高斯定理是電磁學(xué)的基本定理之一，它給出了靜電場中，穿過任一閉合曲面S的電通量與該閉合曲面內(nèi)包圍的電量之間在數(shù)值上的關(guān)系。一般的說，高斯定理說明靜電場中電場強(qiáng)度對任一曲面的通量只取決于該閉合曲面內(nèi)包圍電荷的電量的代數(shù)和，與閉合曲面內(nèi)的電荷分布及閉合曲面外的電量無關(guān)。但是應(yīng)該指出，雖然高斯定理中穿過閉合曲面的電通量只與曲面內(nèi)包圍的電荷有關(guān)，然而定理中涉及的電場強(qiáng)度卻是所有(包括曲面內(nèi)外)源電荷產(chǎn)生的總電場強(qiáng)度。

3. 計(jì)算方法：
   

4. 高斯面的計(jì)算就是:矢量穿過任意閉合曲面的通量等于矢量的散度對閉合面所包圍的體積的積分。公式為:∮EdS=∫▽Edv 。

急求解！一內(nèi)外半徑分別為R1,R2均勻帶電球殼，電荷體密度為ρ，求球體內(nèi)外各點(diǎn)的電勢分布？

如圖

體電荷密度：

從宏觀效果來看，帶電體上的電荷可以認(rèn)為是連續(xù)分布的。電荷分布的疏密程度可用電荷密度來量度。體分布的電荷用電荷體密度來量度，面分布和線分布的電荷分別用電荷面密度和電荷線密度來量度。 電荷分布疏密程度的量度。