怎么用萬(wàn)用表測(cè)量MOS管的好壞?

以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管5N60C為例，來(lái)詳細(xì)介紹一下具體的測(cè)量方法。

1.N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管好壞的測(cè)量方法

2.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔正向測(cè)量5N60C的D-S兩極。

測(cè)量5N60C好壞時(shí)，首先將萬(wàn)用表量程開(kāi)關(guān)調(diào)至二極管檔，將5N60C的G極懸空，用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極，若是好的管子，萬(wàn)用表顯示為“OL”，即溢出（見(jiàn)上圖）。

3.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔反向測(cè)量5N60C的D-S兩極。

然后調(diào)換紅黑表筆，再去測(cè)量D-S兩極，則萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降（見(jiàn)上圖）。

若MOS場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞，用二極管檔測(cè)量時(shí)，萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)接近于零。

4.用萬(wàn)用表的二極管檔給5N60C柵源兩極（G-S兩極）之間的電容充電。對(duì)于N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管充電時(shí)，紅表筆應(yīng)接管子的G極，黑表筆接管子的S極。

在測(cè)量完5N60C的D-S兩極，并且確實(shí)是好的之后，然后用二極管檔給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電。

由于MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻在GΩ級(jí)（GΩ讀作吉?dú)W，1GΩ＝1000MΩ），數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔的開(kāi)路測(cè)量電壓約為2.8～3V，故用二極管檔的測(cè)量電壓給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后，可以使MOS場(chǎng)效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小，故用這個(gè)方法可以測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞。

5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后，用電阻檔實(shí)測(cè)D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω。

6.用萬(wàn)用表電阻檔實(shí)測(cè)5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω。

上面為一個(gè)好的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量數(shù)據(jù)。對(duì)于P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法與上述測(cè)量一樣，只是萬(wàn)用表表筆需要調(diào)換一下極性。

擴(kuò)展資料：

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

場(chǎng)效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。

場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

用數(shù)顯萬(wàn)用表MoS管怎么檢測(cè)好壞判斷？分別是DGS 三個(gè)腳，是固定D極測(cè)GS還是D和S S和G？具

數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔位測(cè)紅筆固定接mos管右邊腳 黑筆分別接中間腳測(cè)試值應(yīng)是0.47-0.49 黑筆測(cè)最左邊的引腳應(yīng)是無(wú)窮大 紅筆接的是S極 中間引腳是D極 左邊值是無(wú)窮大的為g極

MOS管用數(shù)字萬(wàn)用表怎么測(cè)其好壞及引腳？

用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例。

一、先確定MOS管的引腳：

1、先對(duì)MOS管放電，將三個(gè)腳短路即可；

1、首先找出場(chǎng)效應(yīng)管的D極（漏極）。對(duì)于TO-252、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場(chǎng)效應(yīng)管，它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的，故我們可用數(shù)字萬(wàn)用表的二極管檔測(cè)量管子的各個(gè)引腳，哪個(gè)引腳與散熱片相連，哪個(gè)引腳就是D極。

2、找到D極后，將萬(wàn)用表調(diào)至二極管檔；

3、用黑表筆接觸管子的D極，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個(gè)引腳。若接觸到某個(gè)引腳時(shí)，萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降，那么該引腳即為S極（源極），剩下的那個(gè)引腳即為G極（柵極）。

二、MOS管好壞的測(cè)量：

1、當(dāng)把紅表筆放在S極上，黑表筆放在D極上，可以測(cè)出來(lái)這個(gè)導(dǎo)通壓降，一般在0.5 V左右為正常；

2、G腳測(cè)量，需要先對(duì)G極充下電，把紅表筆放在G極，黑表筆放在S極；

3、再次把紅表筆放在S極上，黑表筆放在D極上，可以測(cè)出來(lái)這個(gè)放大壓降，一般在0.3 V左右為正常；

擴(kuò)展資料

MOS管的主要參數(shù)

1、開(kāi)啟電壓VT

開(kāi)啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；

標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；通過(guò)工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2、 直流輸入電阻RGS

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示

MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω。

3.、漏源擊穿電壓BVDS

在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下 ，在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中，其溝道長(zhǎng)度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長(zhǎng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID。

4、柵源擊穿電壓BVGS

在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中，使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。

5、低頻跨導(dǎo)gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)；

gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6、導(dǎo)通電阻RON

導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明了VDS對(duì)ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似

·對(duì)一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

7、極間電容

三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CGS和CGD約為1～3pF，CDS約在0.1～1pF之間

8、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的?！び捎谒拇嬖冢褪挂粋€(gè)放大器即便在沒(méi)有信號(hào)輸人時(shí)，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來(lái)表示，它的單位為分貝（dB）。這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小

MOS場(chǎng)效應(yīng)管CS2N60 如何用萬(wàn)用表測(cè)量它是好還是壞了！請(qǐng)問(wèn)各大電子工程師幫我！！謝謝你！

可以用測(cè)電阻法測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的好壞，用萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：

1、首先將萬(wàn)用表置于R×10或R×100檔，測(cè)量源極S與漏極D之間的電阻，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知，各種不同型號(hào)的管，其電阻值是各不相同的），如果測(cè)得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大，可能是內(nèi)部斷極。

2、然后把萬(wàn)用表置于R×10k檔，再測(cè)柵極G1與G2之間、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大，則說(shuō)明管是正常的；若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥罚瑒t說(shuō)明管是壞的。要注意，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè)。

擴(kuò)展資料：

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較

1、場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號(hào)源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。

2、場(chǎng)效應(yīng)管是多子導(dǎo)電，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對(duì)溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對(duì)于環(huán)境變化較大的場(chǎng)合，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適。

3、場(chǎng)效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開(kāi)關(guān)外，還可作壓控可變線性電阻使用。

4、場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù)。因此，使用場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管靈活。

參考資料來(lái)源：百度百科-場(chǎng)效應(yīng)管

mos管怎么測(cè)試好壞

用萬(wàn)能表檢測(cè)mos管好壞的方法：

將萬(wàn)用表兩個(gè)表筆分別搭接在其他兩個(gè)極：給B極與任意一個(gè)極接一個(gè)10千歐姆電阻，電阻先不要接上，把表筆分別放在兩級(jí)，電阻這時(shí)再接觸，指針擺動(dòng)越大證明該管子放大系數(shù)就越大，也就是說(shuō)該管子就越好，反之越差。

接電阻的那一端為C極；若是紅表筆為P管，黑表筆為N管。凡是不符合以上測(cè)量數(shù)據(jù)的三極管都是壞的。

萬(wàn)用表的相關(guān)要求規(guī)定：

1、指針表讀取精度較差，但指針擺動(dòng)的過(guò)程比較直觀，其擺動(dòng)速度幅度有時(shí)也能比較客觀地反映了被測(cè)量的大?。ū热鐪y(cè)電視機(jī)數(shù)據(jù)總線(SDL)在傳送數(shù)據(jù)時(shí)的輕微抖動(dòng)）；數(shù)字表讀數(shù)直觀，但數(shù)字變化的過(guò)程看起來(lái)很雜亂，不太容易觀看。

2、數(shù)字萬(wàn)用表的準(zhǔn)確度是測(cè)量結(jié)果中系統(tǒng)誤差與隨機(jī)誤差的綜合。它表示測(cè)量值與真值的一致程度，也反映測(cè)量誤差的大小。一般講準(zhǔn)確度愈高，測(cè)量誤差就愈小，反之亦然。

3、指針表內(nèi)一般有兩塊電池，一塊低電壓的1.5V,一塊是高電壓的9V或15V,其黑表筆相對(duì)紅表筆來(lái)說(shuō)是正端。數(shù)字表則常用一塊6V或9V的電池。在電阻檔，指針表的表筆輸出電流相對(duì)數(shù)字表來(lái)說(shuō)要大很多，用R×1Ω檔可以使揚(yáng)聲器發(fā)出響亮的“噠”聲，用R×10kΩ檔甚至可以點(diǎn)亮發(fā)光二極管。