雜質(zhì)濃度怎么轉(zhuǎn)換成電阻率
- 教育綜合
- 2023-10-03 12:59:46
電阻率與雜志濃度的關(guān)系圖如何讀
電導(dǎo)率和電阻率 電流密度: 對(duì)于一段長(zhǎng)為l,截面面積為s,電阻率為ρ的均勻?qū)w,若施加以電壓V,則導(dǎo)體內(nèi)建立均勻電場(chǎng)E,電場(chǎng)強(qiáng)度大小為: 對(duì)于這一均勻?qū)w,有電流密度: 半導(dǎo)體的電阻率和電導(dǎo)率 右圖所 示為N型和P型硅單晶材料在室溫(300K)條件下電阻率隨摻雜濃度的變化關(guān)系曲線。 右圖所示為N型和P型鍺、砷化鎵以及磷化鎵單晶材料在室溫(300K)條件下電阻率隨摻雜濃度的變化關(guān)系曲線。 電阻率(電導(dǎo)率)同時(shí)受載流子濃度(雜質(zhì)濃度)和遷移率的影響,因而電阻率和雜質(zhì)濃度不是線性關(guān)系。 對(duì)于非本征半導(dǎo)體來(lái)說(shuō),材料的電阻率(電導(dǎo)率)主要和多數(shù)載流子濃度以及遷移率有關(guān)。 雜質(zhì)濃度增高時(shí),曲線嚴(yán)重偏離直線電阻率怎么計(jì)算的 求詳解!?。?/h3>對(duì)同一種物質(zhì)來(lái)說(shuō),在相同的條件下:電阻率是不變的,也就是說(shuō),它只與導(dǎo)體的種類(lèi)(如銅,鋁)物體的溫度有關(guān),而與物體的形狀(如長(zhǎng)度,橫截面積等)無(wú)關(guān)的。因?yàn)樗敲枋鑫镔|(zhì)導(dǎo)電能力的。 R=p*l/s 這個(gè)公式說(shuō)的是在相同的條件下,導(dǎo)體的電阻與長(zhǎng)度 、橫截面積,電阻率的關(guān)系,主要是用來(lái)求電阻的, 打個(gè)比方: 電阻就像化學(xué)中物質(zhì)的量,而電阻率相當(dāng)于物質(zhì)的量濃度。物質(zhì)的量濃度只與是哪 種溶液有關(guān),而與它的體積沒(méi)有關(guān)系的,你說(shuō),一瓶子Cu2SO4溶液,我從中取出一試管,它的物質(zhì)的量濃度變了嗎,沒(méi)有,我想這你能理解吧。但它的物質(zhì)的量變了。 同樣,一塊銅導(dǎo)線,你剪掉一半,讓它變細(xì),改變的只是它的電阻的大小,而不如何計(jì)算電阻率?公式是什么?
電阻率的計(jì)算公式為:ρ=RS/L。
在上式中
1、ρ為電阻率,單位為歐姆·厘米
2、 R為電阻值,單位為歐姆
3、 s為橫截面積,單位為平方厘米
4、 L為導(dǎo)線的長(zhǎng)度,單位為厘米
擴(kuò)展資料
電阻率不僅與材料種類(lèi)有關(guān),而且還與溫度、壓力和磁場(chǎng)等外界因素有關(guān)。金屬材料在溫度不高時(shí),ρ與溫度t(℃)的關(guān)系是ρt=ρ0(1+at),式中ρt與ρ0分別是t℃和0℃時(shí)的電阻率;a是電阻率的溫度系數(shù),與材料有關(guān)。
錳銅的a約為1×10-5/℃(其數(shù)值極小),用其制成的電阻器的電阻值在常溫范圍下隨溫度變化極小,適合于作標(biāo)準(zhǔn)電阻。已知材料的ρ值隨溫度而變化的規(guī)律后,可制成電阻式溫度計(jì)來(lái)測(cè)量溫度。半導(dǎo)體材料的α一般是負(fù)值且有較大的量值。制成的電阻式溫度計(jì)具有較高的靈敏度。
在半導(dǎo)體材料中加入其他雜質(zhì)能改變電阻率嗎電阻率變小
半導(dǎo)體中雜質(zhì) 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)對(duì)電阻率的影響非常大。半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)時(shí),雜質(zhì)原子附近的周期勢(shì)場(chǎng)受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài),在禁帶中產(chǎn)加的雜質(zhì)能級(jí)。例如四價(jià)元素鍺或硅晶體中摻入五價(jià)元素磷、砷、銻等雜質(zhì)原子時(shí),雜質(zhì)原子作為晶格的一分子,其五個(gè)價(jià)電子中有四個(gè)與周?chē)逆N(或硅)原子形成共價(jià)結(jié)合,多余的一個(gè)電子被束縛于雜質(zhì)原子附近,產(chǎn)生類(lèi)氫能級(jí)。雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶上方靠近導(dǎo)帶底附近。雜質(zhì)能級(jí)上的電子很易激發(fā)到導(dǎo)帶成為電子載流子。這種能提供電子載流子的雜質(zhì)稱(chēng)為施主,相應(yīng)能級(jí)稱(chēng)為施主能級(jí)。施主能級(jí)上的電子躍遷到導(dǎo)帶所需能量比從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶所需能量小得多(圖2)。在鍺或硅晶體中摻入微量三價(jià)元素硼、鋁、鎵等電阻率與遷移率關(guān)系
電阻率與遷移率關(guān)系:電阻率決定于載流子的濃度和遷移率。電阻率決定于載流子的濃度和遷移率,兩者均與雜質(zhì)濃度和溫度有關(guān),故電阻率是雜質(zhì)濃度和溫度的函數(shù)。
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